少子寿命测试仪TR-LT-2

 少子寿命测试仪 型号：TR-LT-2

 

是参考美国 A.S.T.M 标准而设计的用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。半导体材料的少数载流子寿命测量，是半导体的常规测试项目之一。本仪器灵敏度较高，配备有红外光源，可测量包括集成电路级硅单晶在内的各种类型硅单晶，以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。

本仪器根据通用方法高频光电导衰退法的原理设计，由稳压电源、高频源、检波放大器，特制的InGaAsp／InP红外光源及样品台共五部份组成。采用印刷电路和高频接插连接。整机结构紧凑、测量数据可靠。

技　术　指　标 ：

测试单晶电阻率范围  >2Ω.cm  可测单晶少子寿命范围  5μS～7000μS  配备光源类型  波长：1.09μm；余辉<1 μS；  闪光频率为：20～30次／秒；  闪光频率为：20～30次／秒；  高频振荡源  用石英谐振器，振荡频率：30MHz  前置放大器  放大倍数约25，频宽2 Hz-1 MHz  仪器测量重复误差  <±20％  测量方式  采用对标准曲线读数方式  仪器消耗功率  <25W  仪器工作条件  温度： 10-35℃、 湿度 < 80％、使用电源：AC 220V，50Hz  可测单晶尺寸  断面竖测：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；  纵向卧测：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm；  配用示波器  频宽0—20MHz；  电压灵敏：10mV／cm；